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1 范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電子信息產(chǎn)品中含有的鉛（Pb）、汞（Hg）、鎘（Cd）、六價(jià)鉻[Cr（Ⅵ）]、多溴聯(lián)苯（PBB）和多溴二苯醚（PBDE）六種限用的有毒有害物質(zhì)或元素的檢測(cè)方法。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于《管理辦法》定義的電子信息產(chǎn)品。

2 規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

SJ/T11363 －2006 電子信息產(chǎn)品中有毒有害物質(zhì)的限量要求。

3 術(shù)語(yǔ)和定義

本標(biāo)準(zhǔn)采用下列術(shù)語(yǔ)和定義。

3.1 電子信息產(chǎn)品

electronic information products EIP 采用電子信息技術(shù)制造的電子雷達(dá)產(chǎn)品、電子通信產(chǎn)品、廣播電視產(chǎn)品、計(jì)算機(jī)產(chǎn)品、家用電子產(chǎn)品、電子測(cè)量?jī)x器產(chǎn)品、電子專用產(chǎn)品、電子元器件產(chǎn)品、電子應(yīng)用產(chǎn)品以及電子材料產(chǎn)品等產(chǎn)品及其配件。

3.2 物質(zhì) substance

由自然界中存在的化學(xué)元素組成的單質(zhì)或化合物。

3.3 篩選 screening

初步量化被檢物中待測(cè)元素濃度的一種分析方法。

3.4 聚合物材料 polymeric materials

通過(guò)鑄模或壓延能被制成薄膜或各種形狀的合成或半合成有機(jī)高分子濃縮材料。

注：聚合物材料包括聚乙烯,聚氯乙烯,環(huán)氧樹(shù)脂,聚酰胺,聚碳酸酯，ABS 樹(shù)脂,聚苯乙烯等。

3.5 金屬材料 metallic materials

金屬元素的單質(zhì)或混合物，包括所有鋼鐵、有色金屬或合金材料。

注：金屬材料有鐵合金,鎳合金,錫合金,鋁合金,鎂合金,銅合金,鋅合金,貴金屬合金等。

3.6 專用電子材料 special electronic materials

在電子信息產(chǎn)品中所使用的一些特殊材料，由金屬材料、有機(jī)材料、無(wú)機(jī)非金屬材料中兩種或三種材料組成的混合物。

注：專用電子材料有線路板基材、導(dǎo)電膠、半導(dǎo)體功能材料等。

3.7 無(wú)機(jī)非金屬材料 inorganic nonmetallic materials

以某些元素的氧化物、碳化物、氮化物、硼化物以及硅酸鹽、鋁酸鹽、磷酸鹽、硼酸鹽等物質(zhì)組成的材料。是除有機(jī)高分子材料和金屬材料以外的所有材料的統(tǒng)稱。

注：無(wú)機(jī)非金屬材料有玻璃、陶瓷等材料。

3.8 基體 matrix

含有或附有被分析物的材料或物質(zhì)。

3.9 均勻材料 homogeneous materials

由一種或多種物質(zhì)組成的各部分均勻一致的材料。

3.10 檢測(cè)單元 test unit

可以直接提交進(jìn)行精確檢測(cè)的不需要進(jìn)一步機(jī)械拆分的樣品。

3.11 X射線熒光光譜法 X-Ray fluorescence spectrumetry

XRF 用一束X射線或低能光線照射待測(cè)試樣，使之發(fā)射特征X射線而對(duì)物質(zhì)成分進(jìn)行定性和定量分析的方法。按激發(fā)、色散和探測(cè)方法的不同，分為波長(zhǎng)散射－X射線熒光光譜法和能量散射－X射線熒光光譜法。

3.12 波長(zhǎng)散射－X射線熒光光譜法 wavelength dispersive X-ray fluorescence spectru metry WD-XRF

試樣中被測(cè)元素的原子受到高能輻射激發(fā)而引起內(nèi)層電子的躍遷，同時(shí)發(fā)射出具有一定特征波長(zhǎng)的X射線，根據(jù)測(cè)得譜線的波長(zhǎng)和強(qiáng)度來(lái)對(duì)被測(cè)元素進(jìn)行定性和定量分析。

3.13 能量散射－X射線熒光光譜法 energy dispersive X-ray fluorescence spectrumetr y ED-XRF

試樣中被測(cè)元素的原子受到高能輻射激發(fā)而引起內(nèi)層電子的躍遷，同時(shí)發(fā)射出具有一定能量的X射線，利用具有一定能量分辨率的X射線探測(cè)器探測(cè)試樣中被測(cè)元素所發(fā)出的各種能量特征X射線，根據(jù)探測(cè)器輸出信號(hào)的能量大小和強(qiáng)度來(lái)對(duì)被測(cè)元素進(jìn)行定性和定量分析。

3.14 背景 background

疊加在分析線上的連續(xù)譜，主要來(lái)自試料對(duì)入射輻射的散射。

3.15 分析線 analyt e lines

需要對(duì)其強(qiáng)度進(jìn)行測(cè)量并據(jù)此判定被分析元素含量的特征譜線。

3.16 檢出限 limit of detection

在一定置信水平下能檢出的最低含量。

3.17 干擾線 interference lines

與分析線重疊或部分重疊，從而影響對(duì)分析線強(qiáng)度進(jìn)行準(zhǔn)確測(cè)量的譜線。

3.18 基體效應(yīng) matrix effects

試料的化學(xué)組成和物理－化學(xué)狀態(tài)對(duì)分析線強(qiáng)度的影響，主要表現(xiàn)為吸收－增強(qiáng)效應(yīng)、顆粒度效應(yīng)、表面光潔度效應(yīng)、化學(xué)狀態(tài)效應(yīng)等

。

3.19 氣相色譜-質(zhì)譜聯(lián)用法 gas chromatography - mass spectrometry GC-MS

將氣相色譜儀與質(zhì)譜儀連接起來(lái)，利用氣相色譜高效的分離能力與質(zhì)譜的特征檢測(cè)來(lái)對(duì)有機(jī)化合物進(jìn)行定性與定量分析的方法。

3.20 電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法 inductively coupled plasma atomic emission spe ctrometry ICP-AES/OES

利用高頻等離子體使試樣原子化或者離子化，通過(guò)測(cè)量激發(fā)原子或離子的能量對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)來(lái)確定試 樣中存在的元素。

3.21 電感耦合等離子體質(zhì)譜法 inductively coupled plasma mass spectrometry ICP-MS

通過(guò)高頻等離子體使試樣離子化的方法確定試樣所含的目標(biāo)元素。用質(zhì)譜儀測(cè)出產(chǎn)生的離子數(shù)量，并由目標(biāo)元素的質(zhì)/荷比來(lái)分析目標(biāo)元素及其同位素。

3.22 原子吸收光譜法 atomic absorption spectrometry AAS

用火焰或化學(xué)反應(yīng)等方式將欲分析試樣中待測(cè)元素轉(zhuǎn)變?yōu)樽杂稍樱ㄟ^(guò)測(cè)量蒸氣相中該元素的基態(tài)原子對(duì)特征電磁輻射的吸收，以確定化學(xué)元素含量的方法。

3.23 冷蒸氣原子吸收光譜法 cold vapour generation atomic absorption spectromet ry CVAAS

將欲分析試樣中的汞離子，還原成自由原子，通過(guò)測(cè)量該蒸氣相中的基態(tài)原子對(duì)特征電磁輻射的吸收，以確定汞元素含量的方法。

3.24 原子熒光光譜法 atomic fluorescence spectrometry AFS

利用原子熒光譜線的波長(zhǎng)和強(qiáng)度進(jìn)行物質(zhì)的定性與定量分析的方法。

4 檢測(cè)方法概述

4.1 檢測(cè)方法的內(nèi)容

各種有毒有害物質(zhì)或元素的檢測(cè)方法由如下6個(gè)部分組成：

——范圍；

——方法概要；

——儀器設(shè)備；

——試劑；

——制樣方法；

——測(cè)試步驟。

4.2 檢測(cè)方法流程 標(biāo)準(zhǔn)的檢測(cè)方法流程見(jiàn)圖1。其中，檢測(cè)單元為SJ/T××××－200×中規(guī)定的EIP-A/B/C。

4.3 篩選檢測(cè)方法

用能量散射X射線熒光光譜法（ED-XRF）或波長(zhǎng)散射X射線熒光光譜法（WD-XRF）對(duì)試樣中目標(biāo)物進(jìn)行測(cè)試，可以是直接測(cè)量樣品（不破壞樣品），也可以是破壞樣品使其達(dá)到“均勻材料”（機(jī)械破壞制樣）后測(cè)試。很多有代表性的均勻材料（如塑料，合金，玻璃等）樣品可以不破壞樣品直接進(jìn)行篩選，而由多種材料組成的復(fù)雜樣品（如組裝印制電路板）則須進(jìn)行機(jī)械破壞性樣品制備。機(jī)械破壞性樣品制備既適用于篩選也適用于精確檢測(cè)方法。機(jī)械破壞性制樣的程序步驟見(jiàn)附錄A。

注意：第5 章詳細(xì)介紹的用XRF光譜法進(jìn)行篩選的方法盡管是一種快速且節(jié)省資源的分析手段，但這種分析技術(shù)在獲得結(jié)果的適用性和應(yīng)用方面存在一定的局限性。

篩選分析可以把樣品分成三個(gè)基本類別：

—— 合格（P）：試樣中目標(biāo)物的濃度低于允許值。

—— 不合格（F）：試樣中目標(biāo)物的濃度高于允許值。

—— 不確定（X）：試樣中目標(biāo)物的濃度在允許值附近，因?yàn)闆](méi)有肯定的合格與否的結(jié)果而需要進(jìn)一步檢測(cè)。

通過(guò)篩選后，合格的樣品即是符合要求；不合格的樣品則不符合要求；而對(duì)于無(wú)定論的樣品則需用

4.4規(guī)定的精確測(cè)試程序來(lái)驗(yàn)證該樣品是否符合要求。

4.4 精確測(cè)試方法

精確測(cè)試方法是運(yùn)用多種分析方法來(lái)分析有機(jī)材料、金屬材料、無(wú)機(jī)非金屬材料以及專用電子材料中受限物質(zhì)的濃度。表1是精確測(cè)試方法的簡(jiǎn)單概要，詳細(xì)內(nèi)容分別見(jiàn)第6章到第8章。

表1 精確測(cè)試方法簡(jiǎn)單概要

5 用X射線熒光光譜儀對(duì)電子信息產(chǎn)品中有毒有害物質(zhì)進(jìn)行篩選的測(cè)試方法——此次省略具體參考原文。

6 電子信息產(chǎn)品中多溴聯(lián)苯（PBB）和多溴二苯醚（PBDE）的測(cè)試方法

6.1 范圍

本測(cè)試方法適用于在電子信息產(chǎn)品中所使用的聚合物材料和電子專用材料中多溴聯(lián)苯（PBB）和多溴二苯醚（PBDE）的測(cè)試,測(cè)試濃度范圍為（100～20000）mg/kg。如果采取適當(dāng)?shù)臐饪s和凈化步驟，本方法可測(cè)試更低濃度的樣品。

6.2 方法概要

本方法采用索氏提取法從聚合物材料和電子專用材料中提取多溴聯(lián)苯和多溴二苯醚，通過(guò)適當(dāng)?shù)南♂尯螅褂脷庀嗌V-質(zhì)譜法(GC-MS)選擇離子監(jiān)測(cè)模式（SIM）來(lái)測(cè)試提取液中多溴聯(lián)苯和多溴二苯醚，然后計(jì)算出它們?cè)诰酆衔锊牧现械暮俊?

6.3 儀器設(shè)備

6.3.1 設(shè)備

a) 實(shí)驗(yàn)用通風(fēng)櫥；

b) 電子分析天平，精確到0.1mg；

c) 玻璃器皿；

d) 帶冷凝器的索氏提取裝置；

e) 用來(lái)加熱索氏提取裝置中用的燒瓶的加熱裝置；

f) 粉碎裝置：包括切割機(jī)或剪刀、研磨機(jī)、冷凍粉碎設(shè)施等裝置，主要用于樣品的粉碎；

g) 加熱爐 (可加熱到400℃以上)；

h) 烘箱（可持續(xù)升溫至105℃～250℃）；

i) 18目標(biāo)準(zhǔn)篩(篩孔直徑1mm)。

6.3.2 儀器

a) 氣相色譜儀：帶有程序升溫控制系統(tǒng)；

b) 毛細(xì)管柱：（10～30）m（長(zhǎng)）×0.25mm（內(nèi)徑）×0.1μm（膜厚）的熔融石英毛細(xì)管柱（DB-5或其他經(jīng)證明同樣適用的色譜柱）；

c) 質(zhì)譜儀：能產(chǎn)生能量為70eV的電子用于電離被分析物，應(yīng)能掃描（50～1000）m/z的區(qū)域；

d) 數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)：能采集、記錄、儲(chǔ)存以及處理MS數(shù)據(jù)。

6.4 試劑

a) 溶劑：丙酮、甲苯、環(huán)己烷、正己烷、甲醇、二氯甲烷、異辛烷、壬烷，分析純；

b) 標(biāo)準(zhǔn)儲(chǔ)備液：多溴聯(lián)苯（PBB）和多溴二苯醚（PBDE）同分異構(gòu)體的混合標(biāo)準(zhǔn)溶液；

c) 校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)溶液：用標(biāo)準(zhǔn)貯備液至少需配制5種不同濃度的校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)溶液，其中最低濃度應(yīng)稍高于本測(cè)試方法的檢測(cè)限；

d) 內(nèi)標(biāo)溶液：對(duì)于多溴二苯醚（PBDE）的分析，用13 C12 標(biāo)記的BDEs或 4,4’- 二溴八氟聯(lián)苯(f)或十氘代菲（Phenathrene D10）或十氯聯(lián)苯作為內(nèi)標(biāo)物質(zhì)；對(duì)于多溴聯(lián)苯（PBB）的分析，可把 13 C12 標(biāo)記的多溴聯(lián)苯（PBB）或4,4’-二溴八氟聯(lián)苯(f)或十氘代菲（Phenathrene D10）或十氯聯(lián)苯 作為內(nèi)標(biāo)物質(zhì)；

e) 液氮：工業(yè)級(jí)。

6.5 樣品制備

6.5.1 樣品的粉碎按附錄A將電子信息產(chǎn)品拆解成為各種材料樣品，用剪刀或切割機(jī)（或其他方式）將樣品制成小于10mm×10mm×10mm小塊，液氮冷凍后用粉碎機(jī)（或采用其他等同效果的粉碎方法）將樣品粉碎成粒徑小于1mm的顆粒（過(guò)18#標(biāo)準(zhǔn)篩），混合均勻。

6.5.2 樣品液的提取

稱取上述混勻的樣品0.1g～0.2g，精確到0.001g，放入纖維素套筒中，置于索氏提取裝置中，加入50mL～200mL提取甲苯或其他溶劑[6.4a)]，同時(shí)加入內(nèi)標(biāo)溶液[6.4d)]，然后加入1～2粒沸石，安裝好索氏提取裝置，加熱提取（4～24）h，每小時(shí)至少6個(gè)循環(huán)。待溶液冷卻后，定容到適當(dāng)體積的容量瓶中。該溶液可以直接用于測(cè)試步驟。如果試樣中待測(cè)物的濃度超過(guò)校正曲線的范圍，適當(dāng)稀釋后再測(cè)試。

6.6 測(cè)試步驟

6.6.1 氣相色譜分析條件a)

a) 進(jìn)樣口溫度：（250～320）℃；

b) 柱溫箱起始溫度及保持時(shí)間：100℃，保持（1～3）min；

c) 柱溫程序升溫條件：由（100～320）℃以（5～20）℃/min程序升溫，最后恒溫5min；

d) 載氣：氦氣，流量：（1～2）mL/min；

e) 氣相色譜－質(zhì)譜接口溫度：320℃；

f) 進(jìn)樣方式：（脈沖）不分流進(jìn)樣；

g) 進(jìn)樣量：（1～2）μL。

6.6.2 質(zhì)譜分析條件

a) 電離方式：EI；

b) 電子能量：70eV；

c) 離子源溫度：（250～300）℃；

d) 分辨率：大于800（最好大于1000）；

e) 分析模式：選擇離子監(jiān)測(cè)（SIM），監(jiān)測(cè)的離子分別見(jiàn)表3和表4。

6.6.3 樣品分析

a) 啟動(dòng)儀器，待儀器穩(wěn)定；

b) 根據(jù)儀器要求，用儀器校準(zhǔn)樣品對(duì)儀器進(jìn)行校準(zhǔn)；

c) 建立標(biāo)準(zhǔn)曲線：依次將不同濃度的校準(zhǔn)溶液（6.4 c）注入氣相色譜-質(zhì)譜儀中，以校準(zhǔn)溶液濃度為橫坐標(biāo)，以校準(zhǔn)樣的色譜峰面積為縱坐標(biāo)建立標(biāo)準(zhǔn)曲線；

d) 樣品測(cè)試：按建立標(biāo)準(zhǔn)曲線時(shí)注入的體積將樣品提取液注入氣相色譜-質(zhì)譜儀中，根據(jù)表3和表4給定的離子峰來(lái)確定試樣中含有的PBB和PBDE。然后根據(jù)峰面積，從標(biāo)準(zhǔn)曲線上計(jì)算出相對(duì)應(yīng)的PBB和PBDE的含量。如果不需要計(jì)入十溴二苯醚，則可在統(tǒng)計(jì)或計(jì)算時(shí)去除。

6.6.4 結(jié)果計(jì)算

試樣中多溴聯(lián)苯（PBB）和多溴二苯醚（PBDE）的結(jié)果計(jì)算按下式：

6.6.5 精密度 在重復(fù)性條件下獲得的兩次獨(dú)立測(cè)試結(jié)果的絕對(duì)差值不得超過(guò)算術(shù)平均值的20％。

7 電子信息產(chǎn)品中鉛（Pb）、鎘（Cd）以及汞（Hg）的測(cè)試方法

7.1 電子信息產(chǎn)品中鉛（Pb）、鎘（Cd）的測(cè)試方法

7.1.1 范圍

本方法適用于電子信息產(chǎn)品中所使用的聚合物材料、金屬材料、電子專用材料以及無(wú)機(jī)非金屬材料中鉛和鎘含量的測(cè)試。

7.1.2 方法概要

稱取適量樣品，以微波消解、酸消解和灰化等方法處理后制成均勻液體。利用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法（ICP-AES/OES）、電感耦合等離子體質(zhì)譜法(ICP-MS)或原子吸收光譜法（AAS）測(cè)試樣品溶液中的鉛（Pb）和鎘（Cd）的濃度。

7.1.3 儀器設(shè)備

a) 原子吸收光譜儀（AAS）；

b) 電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜儀（ICP-AES/OES）；

c) 電感耦合等離子體質(zhì)譜儀（ICP-MS）；

d) 實(shí)驗(yàn)室用各種玻璃器皿；

e) 加熱裝置；

f) 馬弗爐；

g) 微波消解系統(tǒng),配有高壓消解罐；

h) 電子分析天平，精確到0.1mg；

i) 坩鍋，50mL或150mL；

j) 耐氫氟酸容器；

k) 本生噴燈或相似的煤氣噴燈。

7.1.4 試劑

除非另有說(shuō)明，在分析中僅使用認(rèn)可的優(yōu)級(jí)純以上試劑和 18M Ω 去離子水或相當(dāng)純度的去離子水。

a ) 硝酸：ρ約1.4g/mL, 65%；

b) 鹽酸： ρ約1.16g/mL, 37%；

c) 過(guò)氧化氫：ρ約1.10g/mL，30％；

d) 硫酸： ρ約1.84g/mL，95％；

e) 氫氟酸：濃度大于40%；

f) 氫溴酸：ρ約1.48g/mL，47%～49%；

g) 高氯酸：ρ約1.67g/mL，70%；

h) 磷酸： ρ約1.69g/mL，大于85%；

i) 硼酸

j) 混合酸1（3份鹽酸+1份硝酸）；

k) 混合酸2（3份鹽酸+1份過(guò)氧化氫）；

l) 混合酸3（1份硝酸+3份氫氟酸）；

m) 混合酸4（2份氫氟酸+1份硝酸+2份水）;

n) 鉛標(biāo)準(zhǔn)溶液，濃度為1000μg/mL；

o) 鎘標(biāo)準(zhǔn)溶液，濃度為1000μ g/mL；

p) 鈧標(biāo)準(zhǔn)溶液，濃度為1000μg/mL；

q) 釔標(biāo)準(zhǔn)溶液，濃度為1000μg/mL；

r) 銠標(biāo)準(zhǔn)溶液，濃度為1000μg/mL。

7.1.5 樣品制備

7.1.5.1 樣品的粉碎

按附錄A將電子信息產(chǎn)品拆解成為各種材料樣品，將樣品制成小于10mm×10mm×10mm小塊。對(duì)金屬材料和無(wú)機(jī)非金屬材料可直接進(jìn)行下一步工作，而對(duì)聚合物材料和電子專用材料，需繼續(xù)粉碎成粒徑小 于1mm的顆粒狀或粉末狀固體樣品，然后混合均勻備用。

7.1.5.2 金屬材料樣品的制備

7.1.5.2.1 酸消解法

稱取(0.1～0.5)g（可根據(jù)被檢元素的含量調(diào)整稱樣量）樣品于燒杯中,精確至0.0001g。根據(jù)金屬材料基體的不同，加入適量7.1.4中指定的酸（或適當(dāng)比例的混合酸），加熱至試樣完全溶解。轉(zhuǎn)移至 50mL容量瓶，用水定容至刻度以備分析。

推薦采用鹽酸、硝酸或其混合酸溶液[7.1.4 l),m)]。當(dāng)試樣難以消解時(shí)，需采用氫氟酸、高氯酸或硫酸等進(jìn)一步溶解。在用氫氟酸時(shí)，需使用PTFE/PFA燒杯和其他耐氫氟酸的裝置。

注意：在溶解過(guò)程中，可能會(huì)產(chǎn)生沉淀（硫酸鉛，硫酸鋇，氯化銀，三氧化二鋁或氫氧化鋁等）因此需確定所選用的溶解方法不會(huì)造成目標(biāo)元素的損失。若殘留物中含有目標(biāo)分析物，需采用其他方法進(jìn)行試樣溶解（如堿熔法或密封壓力容器法）。

a)一般合金方法

稱取(0.1～0.5)g（可根據(jù)被檢元素的含量調(diào)整稱樣量）樣品于燒杯中,精確至0.0001g。緩緩加入10mL鹽酸與硝酸的混合酸1（可根據(jù)基體成份進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整），低溫加熱使之溶解完全。冷卻至室溫，轉(zhuǎn)移至50mL的容量瓶中，用水定容至刻度以備分析。根據(jù)所采用的分析方法，稀釋成相應(yīng)濃度的樣品溶液。

當(dāng)樣品中含硅（Si）,鋯（Zr）,鉿（Hf）,鈦（Ti）,鉭（Ta）,鈮（Nb）,鎢（W）時(shí)（該信息可從第5章的篩選試驗(yàn)中獲得），需再加入1mL氫氟酸以保證試樣消解完全。

b)錫合金方法

稱取(0.1～0.5)g（可根據(jù)被檢元素的含量調(diào)整稱樣量）樣品于燒杯中,精確至0.0001g。緩緩加入10mL鹽酸與硝酸的混合酸1（可根據(jù)基體成份進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整），蓋上表面皿，待劇烈反應(yīng)后，微熱至試樣完全溶解。稍冷，移去表皿，沿杯壁加入10mL硫酸，加熱蒸發(fā)至剛冒SO3白煙，冷卻。

沿杯壁加入20mL氫溴酸，充分混勻，加熱至剛冒SO3白煙。重復(fù)3次。冷卻至室溫，加入10mL硝酸溶解鹽類。冷卻，轉(zhuǎn)移至50mL的容量瓶中，用水定容至刻度以備分析。根據(jù)所采用的分析方法， 稀釋成相應(yīng)濃度的樣品溶液。

或者，稱取0.5g樣品，精確至0.0001g，加入10mL鹽酸與過(guò)氧化氫的混合酸2（可根據(jù)基體成份進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整）溶解試樣。

當(dāng)樣品中含硅（Si）,鋯（Zr）,鉿（Hf）,鈦（Ti）,鉭（Ta）,鈮（Nb）,鎢（W）時(shí)（該信息可從第5章的篩選試驗(yàn)中獲得），需再加入1mL氫氟酸以保證試樣消解完全。

7.1.5.2.2 微波消解法

稱取0.10g樣品，精確至0.0001g,置于消解罐中，加入5mL適宜比例的鹽酸與硝酸的混合酸1（可根據(jù)基體成份進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整）。當(dāng)樣品中含硅（Si）,鋯（Zr）,鉿（Hf）,鈦（Ti）,鉭（Ta）,鈮（Nb）, 鎢（W）時(shí)（該信息可從第5章的篩選試驗(yàn)中獲得），再加1mL濃氫氟酸。

待試樣反應(yīng)一段時(shí)間后，將整個(gè)消解罐置于微波消解儀中，按照儀器操作方法對(duì)樣品進(jìn)行微波消解，直至樣品被完全溶解。將消解罐取出，冷卻至室溫，加入適量的硼酸絡(luò)合過(guò)量的氫氟酸（若采用耐氫氟酸的霧化器，可不加硼酸）。轉(zhuǎn)移至50mL的容量瓶中，用水定容至刻度以備分析。根據(jù)所采用的分析方法，稀釋成相應(yīng)濃度的樣品溶液。

7.1.5.3 無(wú)機(jī)非金屬樣品的制備

通常無(wú)機(jī)非金屬樣品中含有硅等非金屬元素，在樣品制備過(guò)程中需加入強(qiáng)腐蝕性的氫氟酸，應(yīng)采用耐氫氟酸器皿。

稱取0.10g樣品，精確至0.0001g,置于消解罐中。加入3mL適宜比例的鹽酸與硝酸的混合酸1和3mL氫氟酸。待試樣反應(yīng)一段時(shí)間后，將整個(gè)消解罐放入微波消解儀中，按照儀器操作方法對(duì)試樣進(jìn)行微波消解，直至試樣被完全溶解。將消解罐取出，冷卻至室溫，加入適量的硼酸絡(luò)合過(guò)量的氫氟酸（若采用耐氫氟酸的霧化器，可不加硼酸）。轉(zhuǎn)移至50mL的容量瓶中，用水定容至刻度以備分析。根據(jù)所采用的分析方法，稀釋成相應(yīng)濃度的樣品溶液。

7.1.5.4 聚合材料樣品的制備

7.1.5.4.1 灰化法

a) 當(dāng)樣品中不含鹵素化合物時(shí)（該信息可從第5章的篩選試驗(yàn)中獲得）：

稱取(0.1～0.5)g（可根據(jù)基體成份進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整）經(jīng)粉碎后的樣品于坩堝中，精確至0.0001g。

坩堝置于耐熱絕熱板的孔中，緩慢加熱至焦化狀態(tài)，逐漸加溫直至揮發(fā)的消解產(chǎn)物被充分排出，僅剩余最后只留下碳化物殘?jiān)③釄逡迫?450±25)℃的馬弗爐中，爐門輕微開(kāi)啟以提供足夠的空氣來(lái)氧化碳，直至剩余干凈的灰分。將坩堝及其里面的物質(zhì)從爐中取出，冷卻至室溫。加入5mL硝酸，溶解，轉(zhuǎn)移至50mL容量瓶中，用水定容至刻度以備分析。根據(jù)所采用的分析方法，稀釋成相應(yīng)濃度的樣品溶液。

b) 當(dāng)樣品中含有鹵素化合物時(shí)（該信息可從第5章的篩選試驗(yàn)中獲得）：

稱取(0.1～0.5)g（可根據(jù)基體成份進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整）經(jīng)粉碎后的樣品于坩堝中，精確至0.0001g。

加入(10～15)mL的硫酸，將坩堝置于電熱板或砂浴上緩慢加熱，直到塑料熔化并變黑。再加入5mL硝酸，繼續(xù)加熱至塑料完全降解并產(chǎn)生白煙。冷卻，將坩堝移入(450±25)℃的馬弗爐中， 試樣被蒸發(fā)、干燥和灰化，直至碳被完全燃燒。將坩堝及其里面的物質(zhì)從爐中取出，冷卻至室 溫。加入5mL硝酸，溶解，轉(zhuǎn)移至50mL容量瓶中，用水定容至刻度以備分析。根據(jù)所采用的分析 方法，稀釋成相應(yīng)濃度的樣品溶液。

7.1.5.4.2 酸消解法

本方法只適用于鎘的測(cè)試。

注意：因在使用硫酸時(shí)會(huì)生成硫酸鉛沉淀而導(dǎo)致鉛的損失，所以本方法不適用于鉛的測(cè)試。

a) 一般溶解方法

稱取(0.1～0.5)g（可根據(jù)基體成份進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整）經(jīng)粉碎后的樣品于燒瓶中，精確至0.0001g。

加入5mL硫酸和1mL硝酸，加熱燒瓶至試樣灰化并產(chǎn)生白煙。停止加熱，加入少量硝酸（約0.5mL），繼續(xù)加熱至產(chǎn)生白煙。重復(fù)以上加熱過(guò)程，直至消解液變?yōu)闇\黃色。

冷卻10min后，分若干次加入過(guò)氧化氫，總量不超過(guò)10mL，再次加熱至產(chǎn)生白煙。冷卻，轉(zhuǎn)移至50mL容量瓶中，用水定容至刻度以備分析。根據(jù)所采用的分析方法，稀釋成相應(yīng)濃度的樣品溶液。

b）當(dāng)樣品消解不完全或樣品中含有二氧化硅、鈦等元素時(shí)（該信息可從第5章的篩選試驗(yàn)中獲得）：

稱取(0.1～0.5)g（可根據(jù)基體成份進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整）經(jīng)粉碎后的樣品于燒瓶中，精確至0.0001g。

加入5mL硫酸和1mL硝酸，加熱燒瓶至試樣灰化并產(chǎn)生白煙。停止加熱，加入少量硝酸（約0.5mL），繼續(xù)加熱至產(chǎn)生白煙。重復(fù)以上加熱過(guò)程，直至消解液變?yōu)闇\黃色。

冷卻10min后，分若干次加入過(guò)氧化氫，總量不超過(guò)10mL，再次加熱至產(chǎn)生白煙。冷卻，將溶液移入氟碳樹(shù)脂罐中。加入5mL氫氟酸，并加熱直至產(chǎn)生白煙。將消解罐取出，冷卻至室溫，加入適量的硼酸絡(luò)合過(guò)量的氫氟酸（若采用耐氫氟酸的霧化器，可不加硼酸）。轉(zhuǎn)移至50mL容量瓶中，用水定容至刻度以備分析。根據(jù)所采用的分析方法，稀釋成相應(yīng)濃度的樣品溶液。

7.1.5.4.3 微波消解法

稱取0.10g經(jīng)粉碎后的樣品，精確至0.0001g,置于消解罐中，加入5mL硝酸、1mL過(guò)氧化氫。當(dāng)樣品中含硅（Si）,鋯（Zr）,鉿（Hf）,鈦（Ti）,鉭（Ta）,鈮（Nb）,鎢（W）時(shí)（該信息可從第5章的篩選試驗(yàn)中獲得），再加入1mL氫氟酸。將整個(gè)消解罐置于微波消解儀中，按照儀器操作方法對(duì)樣品進(jìn)行微波消解，直至試樣被完全溶解。將消解罐取出，冷卻至室溫，加入適量的硼酸絡(luò)合過(guò)量的氫氟酸（若采用耐氫氟酸的霧化器，可不加硼酸）。轉(zhuǎn)移至50mL的容量瓶中，用水定容至刻度以備分析。根據(jù)所采用的分析方法，稀釋成相應(yīng)濃度的樣品溶液。

注意：過(guò)氧化氫可與易氧化材料發(fā)生快速而猛烈的反應(yīng)。當(dāng)樣品中可能含有大量易氧化有機(jī)成分時(shí)，不宜添加過(guò)氧化氫。

7.1.5.5 電子專用材料樣品的制備

稱取0.10g經(jīng)粉碎后的樣品，精確到0.0001g，置于消解罐中，加入5mL適宜比例的鹽酸與硝酸的混合酸1（可根據(jù)基體成份進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整）。當(dāng)樣品中含硅（Si）,鋯（Zr）,鉿（Hf）,鈦（Ti）,鉭（Ta）,鈮（Nb）,鎢（W）時(shí)（該信息可從第5章的篩選試驗(yàn)中獲得），再加入1mL氫氟酸。待試樣反應(yīng)一段時(shí)間后，將整個(gè)消解罐置于微波消解儀中，按照儀器操作方法對(duì)樣品進(jìn)行微波消解，直至試樣被完全溶解。

將消解罐取出，冷卻至室溫，加入適量的硼酸絡(luò)合過(guò)量的氫氟酸（若采用耐氫氟酸的霧化器，可不加硼酸）。轉(zhuǎn)移至50mL的容量瓶中，用水定容至刻度以備分析。根據(jù)所采用的分析方法，稀釋成相應(yīng)濃度的樣品溶液。

7.1.6 測(cè)試步驟

7.1.6.1 空白溶液的制備

隨同7.1.5中樣品的制備一起全程制備空白溶液。

7.1.6.2 鉛和鎘校準(zhǔn)溶液的配制

因各種分析儀器存在不同程度的基體效應(yīng)問(wèn)題，在配制校準(zhǔn)溶液時(shí)應(yīng)根據(jù)待測(cè)材料的種類分別采用外標(biāo)法（基體匹配）、內(nèi)標(biāo)法或標(biāo)準(zhǔn)加入法配制校準(zhǔn)溶液。

制備空白校準(zhǔn)溶液與至少三種濃度的校準(zhǔn)溶液。

當(dāng)采用內(nèi)標(biāo)法時(shí)，可在配制時(shí)向溶液中加入內(nèi)標(biāo)元素，或在測(cè)試過(guò)程中采用儀器在線加入內(nèi)標(biāo)。對(duì)于ICP-AES/OES法，可選取鈧（Sc）或釔(Y)元素作內(nèi)標(biāo)；對(duì)于ICP-MS法，可選取銠(Rh)元素作內(nèi)標(biāo)。內(nèi) 標(biāo)元素的濃度與待測(cè)元素的濃度相當(dāng)。

7.1.6.3 鉛和鎘校準(zhǔn)曲線的繪制

a) ICP-AES/OES方法按濃度由低到高的順序測(cè)量校準(zhǔn)系列溶液中目標(biāo)元素的光譜發(fā)射強(qiáng)度讀數(shù)。根據(jù)需要測(cè)試內(nèi)標(biāo)元素的發(fā)射強(qiáng)度讀數(shù)。

采用外標(biāo)法時(shí)，以校準(zhǔn)溶液的濃度為橫坐標(biāo)，以信號(hào)強(qiáng)度為縱坐標(biāo)繪制校準(zhǔn)曲線。

采用內(nèi)標(biāo)法時(shí)，以校準(zhǔn)溶液的濃度為橫坐標(biāo)，以待測(cè)元素的信號(hào)強(qiáng)度與內(nèi)標(biāo)元素的信號(hào)強(qiáng)度比為縱坐標(biāo)繪制校準(zhǔn)曲線。

分析時(shí)所選擇的譜線及可能存在的干擾：見(jiàn)表5。

當(dāng)存在共存物質(zhì)干擾時(shí)，應(yīng)選取不會(huì)干擾測(cè)試的任一波長(zhǎng)，或采用適當(dāng)?shù)姆椒ㄏ蓴_。

b) ICP-MS方法

按濃度由低到高的順序測(cè)量校準(zhǔn)系列溶液中目標(biāo)元素同位素的計(jì)數(shù)。根據(jù)需要測(cè)試內(nèi)標(biāo)元素同位素的計(jì)數(shù)。

采用外標(biāo)法時(shí)，以校準(zhǔn)溶液的濃度為橫坐標(biāo)，以信號(hào)強(qiáng)度為縱坐標(biāo)繪制校準(zhǔn)曲線。

采用內(nèi)標(biāo)法時(shí)，以校準(zhǔn)溶液的濃度為橫坐標(biāo)，以待測(cè)元素的信號(hào)強(qiáng)度與內(nèi)標(biāo)元素的信號(hào)強(qiáng)度比為縱坐標(biāo)繪制校準(zhǔn)曲線。

分析時(shí)所選擇的同位素及可能存在的干擾見(jiàn)表6。

當(dāng)存在共存物質(zhì)干擾時(shí)，應(yīng)選取不會(huì)干擾測(cè)試的任一同位素，或采用適當(dāng)?shù)姆椒ㄏ蓴_。

c) AAS方法

按濃度由低到高的順序測(cè)量校準(zhǔn)系列溶液中目標(biāo)元素的光譜吸收強(qiáng)度讀數(shù)。以校準(zhǔn)溶液的濃度為橫坐標(biāo)，以吸收強(qiáng)度為縱坐標(biāo)繪制校準(zhǔn)曲線。

分析線：鎘（Cd） 228.8nm；鉛（Pb） 217.0nm或283.3nm。

吸光度讀數(shù)范圍：為了減少光度測(cè)量的誤差，吸光度讀數(shù)一般選在0.1～0.6之間，必要時(shí)可調(diào)節(jié)溶液的濃度或光程長(zhǎng)度或擴(kuò)展量程。當(dāng)存在共存物質(zhì)干擾時(shí)，應(yīng)選取不會(huì)干擾測(cè)試的任一波長(zhǎng)，或采用適當(dāng)?shù)姆椒ㄏ蓴_。

7.1.6.4 樣品分析

校準(zhǔn)曲線建立后，測(cè)試空白溶液、樣品溶液。依據(jù)每個(gè)試樣的信號(hào)讀數(shù)，由校準(zhǔn)曲線查得所對(duì)應(yīng)的濃度。每個(gè)樣品應(yīng)平行分析兩次，且兩次結(jié)果的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差不應(yīng)該高于10％。同時(shí)在每一批樣品中至少取一個(gè)樣品進(jìn)行加標(biāo)回收率的試驗(yàn)，回收率應(yīng)該在90％～110％之間。

對(duì)于AAS法而言，若樣品溶液的濃度高于校準(zhǔn)溶液的最高點(diǎn)，應(yīng)將樣品溶液進(jìn)一步稀釋，使其濃度落于校準(zhǔn)溶液的濃度范圍內(nèi)。

將標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)或校準(zhǔn)溶液作為質(zhì)控樣品，每10個(gè)樣品測(cè)試一次,計(jì)算測(cè)量的準(zhǔn)確度。如若需要，應(yīng)重新繪制校準(zhǔn)曲線。

7.1.6.5 結(jié)果計(jì)算

被測(cè)元素含量以質(zhì)量分?jǐn)?shù)WM計(jì)，數(shù)值以%表示，按下式計(jì)算：

7.1.6.6 精密度

在重復(fù)性條件下獲得的兩次獨(dú)立測(cè)試結(jié)果的絕對(duì)差值不得超過(guò)算術(shù)平均值的10％。

7.2 電子信息產(chǎn)品中汞（Hg）的測(cè)試方法

7.2.1 范圍

本方法適用于在電子信息產(chǎn)品中所使用的聚合物材料、金屬材料、電子專用材料以及無(wú)機(jī)非金屬材料中汞含量測(cè)試。

7.2.2 方法摘要

稱取適量樣品，以微波消解、酸消解的方法處理后制成均勻樣品溶液。樣品溶液應(yīng)在4℃保存以減少汞的揮發(fā)。為了長(zhǎng)期貯存汞溶液，建議采用5.0%硝酸+0.05%重鉻酸鉀的介質(zhì)。

利用冷原子吸收法（CVAAS）、原子熒光法（AFS）、電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法（ICP－AES）、電感耦合等離子體質(zhì)譜法(ICP-MS)或原子吸收光譜法（AAS）測(cè)試樣品溶液中的汞濃度。采用CVAAS與AFS時(shí)，在分析之前汞(Hg)被還原成原子狀態(tài)。

7.2.3 儀器設(shè)備

a) 冷蒸氣原子吸收光譜儀 （CVAAS）；

b) 電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜儀（ICP-AES/OES）；

c) 電感耦合等離子體質(zhì)譜儀（ICP-MS）；

d) 原子熒光光譜儀（AFS）

e) 加熱回流裝置：配有反應(yīng)瓶、回流冷凝裝置和吸收裝置；

f) 實(shí)驗(yàn)室用各種玻璃器皿；

g) 耐氫氟酸的容器；

h) 加熱裝置；

i) 微波消解系統(tǒng),配有高壓消解罐；

j) 電子分析天平，精確到0.1mg；

注意：因汞極易被污染，實(shí)驗(yàn)中的每一個(gè)步驟都應(yīng)極其小心。所有的取樣、儲(chǔ)存與操作裝置均應(yīng)無(wú)汞(Hg)。所有的器皿在室溫下以50％的硝酸浸泡24h，再以18 MΩ去離子水徹底清洗。

7.2.4 試劑

除非另有說(shuō)明，在分析中僅使用認(rèn)可的優(yōu)級(jí)純以上試劑和18MΩ去離子水或相當(dāng)純度的去離子水。

a） 硝酸：ρ約1.40g/mL，65％；

b） 鹽酸：ρ約1.19g/mL，37％；

c） 過(guò)氧化氫： ρ約1.10g/mL，30％；

d） 氫氟酸：濃度大于40%；

e） 硫酸：ρ約1.84g/mL，95％；

f） 硼酸，分析純；

g） 汞標(biāo)準(zhǔn)溶液，濃度為1000μ g/mL；

h) 氯化鈉－鹽酸羥胺溶液：每100mL水溶解12g氯化鈉及12g鹽酸羥胺；

i) 高錳酸鉀：5%水溶液，每100mL水溶解5g高錳酸鉀；

j) 氫氧化鈉，分析純；

k) 硼氫化鈉；

l) 1 ％硼氫化鈉－氫氧化鈉0.05％溶液.：向1000mL的容量瓶中加入超純水，至接近刻度。再加0.5g氫氧化鈉，溶解后，加10.0g硼氫化鈉，攪拌、溶解，以水定容至刻度，現(xiàn)配現(xiàn)用；

m) BCR－680，BCR－681：塑料包裝和包裝材料中的認(rèn)證參照材料；

7.2.5 樣品制備

7.2.5.1 樣品的粉碎

按附錄A將電子信息產(chǎn)品拆解成為各種材料樣品，用剪刀或切割機(jī)（或其他方式）將樣品制成小于10mm×10mm×10mm小塊。對(duì)金屬材料和無(wú)機(jī)非金屬材料可直接進(jìn)行下一步工作，而對(duì)聚合物材料和電子 專用材料，需繼續(xù)粉碎成粒徑小于1mm的顆粒狀或粉末狀固體樣品，然后混合均勻以備下一步工作。

7.2.5.2 金屬材料樣品的制備

7.2.5.2.1 酸消解法

a) 樣品制備的一般方法

稱取約1g樣品于潔凈反應(yīng)瓶中，精確至0.0001g，加30mL硝酸。反應(yīng)瓶裝有回流冷凝裝置及含有 10mL 0.5mol/L硝酸溶液的吸收裝置。在室溫下消解1h，升溫至90℃，恒溫消解2h。冷卻至室溫， 將吸收管內(nèi)的溶液合并于消解液中。轉(zhuǎn)移至250mL容量瓶，以5％的硝酸溶液定容至刻度制備成樣品溶液。

b) 含有鋯（Zr）、鉿（Hf）、鈦（Ti）、銅（Cu）、銀（Ag）、鉭（Ta）、鈮（Nb）或鎢（W）的材料的溶解

稱取約1g樣品于潔凈反應(yīng)瓶中，加入20mL濃鹽酸和10mL濃硝酸。反應(yīng)瓶裝有回流冷凝裝置及含 有10mL 0.5mol/L硝酸溶液的吸收裝置。在室溫下消解1h。升溫至(95±5)℃，消解15min。取下， 冷卻。

若試樣未被完全消解，反復(fù)加王水并加熱，直至試樣消解完全。每次加酸時(shí)，都應(yīng)沿器壁加入，以將粘在壁上的試樣重新沖洗至溶液中。

待試樣完全消解后，向反應(yīng)瓶中加入20mL水與15mL高錳酸鉀溶液。充分混勻，并在（95±5）℃加熱回流30min。冷卻到室溫，過(guò)濾，轉(zhuǎn)移至100mL容量瓶中。用水反復(fù)清洗反應(yīng)瓶、冷凝器與 吸收裝置。將清洗液并入容量瓶中。可加入6mL氯化鈉－鹽酸羥胺溶液還原多余的高錳酸鉀4。用水稀釋至刻度，混勻制備成樣品溶液。

7.2.5.2.2 微波消解法

稱取0.10g樣品，精確至0.0001g,置于消解罐中，加入5mL適宜比例的鹽酸與硝酸的混合酸（鹽酸與硝酸比例通常為3+1，可根據(jù)基體成份進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整）。當(dāng)樣品中含硅（Si）,鋯（Zr）,鉿（Hf）,鈦 （Ti）,鉭（Ta）,鈮（Nb）,鎢（W）時(shí)（該信息可從第5章的篩選試驗(yàn)中獲得），再加1mL濃氫氟酸。

待試樣反應(yīng)一段時(shí)間后，將整個(gè)消解罐置于微波消解儀中，按照儀器操作方法對(duì)試樣進(jìn)行微波消解，直至試樣被完全溶解。將消解罐取出，冷卻至室溫，加入適量的硼酸絡(luò)合過(guò)量的氫氟酸（若采用耐氫氟酸的霧化器，可不加硼酸）。轉(zhuǎn)移至50mL的容量瓶中，用水定容至刻度以備分析。根據(jù)所采用的分析方法，稀釋成相應(yīng)的濃度制備成樣品溶液。

7.2.5.3 無(wú)機(jī)非金屬樣品的制備

通常無(wú)機(jī)非金屬樣品中含有硅等非金屬元素，在樣品制備過(guò)程中需加入強(qiáng)腐蝕性的氫氟酸，因此要求采用耐氫氟酸器皿。稱取0.10g樣品，精確至0.0001g,置于消解罐中。加入3mL適宜比例的鹽酸與硝酸的混合酸（鹽酸與硝酸比例通常為3+1,可根據(jù)基體成份進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整）、3mL濃氫氟酸。待試樣反應(yīng)一段時(shí)間后，將整個(gè)消解罐放入微波消解儀中，按照儀器操作方法對(duì)試樣進(jìn)行微波消解，直至試樣被完全溶解。將消解罐取出，冷卻至室溫，加入適量的硼酸絡(luò)合過(guò)量的氫氟酸（若采用耐氫氟酸的霧化器，可不加硼酸）。轉(zhuǎn)移至50mL的容量瓶中，用水定容至刻度以備分析。根據(jù)所采用的分析方法，稀釋成相應(yīng)的濃度制備成樣品溶液。

7.2.5.4 聚合材料樣品的制備

稱取0.10 g經(jīng)粉碎后的樣品，精確至0.0001 g,置于消解罐中，加入5 mL硝酸、1mL過(guò)氧化氫。當(dāng)樣品中含硅（Si）,鋯（Zr）,鉿（Hf）,鈦（Ti）,鉭（Ta）,鈮（Nb）,鎢（W）時(shí)（該信息可從第5章的篩選試驗(yàn)中獲得），再加入1mL氫氟酸。將整個(gè)消解罐置于微波消解儀中，按照儀器操作方法對(duì)試樣進(jìn)行微波消解，直至試樣被完全溶解。將消解罐取出，冷卻至室溫，加入適量的硼酸絡(luò)合過(guò)量的氫氟酸（若采用耐氫氟酸的霧化器，可不加硼酸）。轉(zhuǎn)移至50mL的容量瓶中，用水定容至刻度以備分析。根據(jù)所采用的分析方法，稀釋成相應(yīng)的濃度制備成樣品溶液。

注意：過(guò)氧化氫可與易氧化材料發(fā)生快速而猛烈的反應(yīng)。當(dāng)樣品中可能含有大量易氧化有機(jī)成分時(shí)，不宜添加過(guò)氧化氫。

7.2.5.5 電子專用材料樣品的制備

稱取0.10 g經(jīng)粉碎后的樣品，精確到0.0001g,置于消解罐中，加入5 mL適宜比例的鹽酸與硝酸的混合酸（鹽酸與硝酸比例通常為3+1，可根據(jù)基體成份進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整）。當(dāng)樣品中含硅（Si）,鋯（Zr）,鉿（Hf）,鈦（Ti）,鉭（Ta）,鈮（Nb）,鎢（W）時(shí)（該信息可從第5章的篩選試驗(yàn)中獲得），再加入1mL 氫氟酸。待試樣反應(yīng)一段時(shí)間后，將整個(gè)消解罐置于微波消解儀中，按照儀器操作方法對(duì)試樣進(jìn)行微波消解，直至試樣被完全溶解。將消解罐取出，冷卻至室溫，加入適量的硼酸絡(luò)合過(guò)量的氫氟酸（若采用耐氫氟酸的霧化器，可不加硼酸）。轉(zhuǎn)移至50mL的容量瓶中，用水定容至刻度以備分析。根據(jù)所采用的分析方法，稀釋成相應(yīng)的濃度制備成樣品溶液。

7.2.6 測(cè)試步驟

7.1.6.1 空白溶液的制備

隨同7.2.5中樣品的制備一起全程制備空白溶液。

7.2.6.2 汞標(biāo)準(zhǔn)溶液的配制

汞標(biāo)準(zhǔn)溶液應(yīng)貯存于惰性塑料容器中。濃度為1000μg/mL的汞溶液穩(wěn)定期至多為一年。濃度小于1 μg/L的溶液應(yīng)現(xiàn)用現(xiàn)配。

汞易被吸附在容器內(nèi)壁，從而對(duì)標(biāo)準(zhǔn)溶液的穩(wěn)定性造成較大影響。因此，建議加入幾滴5％的高錳酸鉀溶液以穩(wěn)定該標(biāo)準(zhǔn)溶液。

因各種分析儀器存在不同程度的基體效應(yīng)問(wèn)題，在配制校準(zhǔn)溶液時(shí)應(yīng)根據(jù)待測(cè)材料的種類分別采用外標(biāo)法（基體匹配）、內(nèi)標(biāo)法或標(biāo)準(zhǔn)加入法配制校準(zhǔn)溶液。

制備空白校準(zhǔn)溶液與至少三種濃度的校準(zhǔn)溶液。

當(dāng)采用內(nèi)標(biāo)法時(shí)，可在配制時(shí)向溶液中加入內(nèi)標(biāo)元素，或在測(cè)試過(guò)程中采用儀器在線加入內(nèi)標(biāo)。對(duì)于ICP-AES法，可選取鈧（Sc）或釔（Y）元素作內(nèi)標(biāo)；對(duì)于ICP-MS法，可選取銠元素（Rh）作內(nèi)標(biāo)。內(nèi)標(biāo)元素的濃度與待測(cè)元素的濃度相當(dāng)。

7.2.6.3 汞校準(zhǔn)曲線的繪制

a) ICP-AES/OES方法

按濃度由低到高的順序測(cè)量校準(zhǔn)系列溶液中汞的光譜發(fā)射強(qiáng)度讀數(shù)。根據(jù)需要測(cè)試內(nèi)標(biāo)元素的發(fā)射強(qiáng)度讀數(shù)。

采用外標(biāo)法時(shí)，以校準(zhǔn)溶液的濃度為橫坐標(biāo)，以信號(hào)強(qiáng)度為縱坐標(biāo)繪制校準(zhǔn)曲線。

采用內(nèi)標(biāo)法時(shí)，以校準(zhǔn)溶液的濃度為橫坐標(biāo)，以汞的信號(hào)強(qiáng)度與內(nèi)標(biāo)元素的信號(hào)強(qiáng)度比為縱坐標(biāo)繪制校準(zhǔn)曲線。

分析時(shí)所選擇的汞的譜線:194.227nm。

b) ICP-MS方法

按濃度由低到高的順序測(cè)量校準(zhǔn)系列溶液中汞同位素的計(jì)數(shù)。根據(jù)需要測(cè)試內(nèi)標(biāo)元素同位素的計(jì)數(shù)。

采用外標(biāo)法時(shí)，以校準(zhǔn)溶液的濃度為橫坐標(biāo)，以信號(hào)強(qiáng)度為縱坐標(biāo)繪制校準(zhǔn)曲線。

采用內(nèi)標(biāo)法時(shí)，以校準(zhǔn)溶液的濃度為橫坐標(biāo)，以汞的信號(hào)強(qiáng)度與內(nèi)標(biāo)元素的信號(hào)強(qiáng)度比為縱坐標(biāo)繪制校準(zhǔn)曲線。

內(nèi)標(biāo)法或標(biāo)準(zhǔn)加入法分析時(shí)所選擇汞的同位素：202m/z。

c) CVAAS方法

按濃度由低到高的順序測(cè)量校準(zhǔn)系列溶液中汞的吸收強(qiáng)度讀數(shù)。以校準(zhǔn)溶液的濃度為橫坐標(biāo)，以汞的吸收強(qiáng)度為縱坐標(biāo)繪制校準(zhǔn)曲線。

吸光度讀數(shù)范圍：為了減少光度測(cè)量的誤差，吸光度讀數(shù)一般選在0.1～0.6之間，必要時(shí)可調(diào)節(jié)溶液的濃度或光程長(zhǎng)度或擴(kuò)展量程。

儀器參數(shù)：

光源：Hg無(wú)極放電燈或空心陰極燈；

波長(zhǎng)：253.7nm；

光譜狹縫寬度：0.7nm；

吹掃氣：氮?dú)饣蛘邭鍤猓?

還原劑：1％硼氫化鈉－氫氧化鈉0.05％溶液（可根據(jù)需要適當(dāng)調(diào)節(jié)濃度）。

d) AFS方法

按濃度由低到高的順序測(cè)量校準(zhǔn)系列溶液中汞的熒光強(qiáng)度讀數(shù)。以校準(zhǔn)溶液的濃度為橫坐標(biāo)，以熒光強(qiáng)度為縱坐標(biāo)繪制校準(zhǔn)曲線。

熒光強(qiáng)度讀數(shù)范圍：為了減少測(cè)量的誤差，熒光強(qiáng)度讀數(shù)應(yīng)落于儀器的線性范圍內(nèi)，必要時(shí)可調(diào)節(jié)溶液的濃度。

儀器參數(shù)：

光源：Hg空心陰極燈；

電流：30mA；

波長(zhǎng)：253.7nm；

負(fù)高壓：360V；

爐溫：800℃；

氬氣流量載氣：600mL/min，

屏蔽氣：1000mL/min；

還原劑：1％硼氫化鈉－氫氧化鈉0.05％溶液（可根據(jù)需要適當(dāng)調(diào)節(jié)濃度）。

7.2.6.4 樣品分析

校準(zhǔn)曲線建立后，測(cè)試空白溶液、樣品溶液。依據(jù)每個(gè)試樣的信號(hào)讀數(shù)，由校準(zhǔn)曲線查得所對(duì)應(yīng)的濃度。每個(gè)樣品應(yīng)平行分析兩次，且兩次結(jié)果的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差不應(yīng)該高于20％。同時(shí)在每一批樣品中至少取一個(gè)樣品進(jìn)行加標(biāo)回收率的試驗(yàn)，回收率應(yīng)該在70％～130％之間。

對(duì)于CVAAS法與AFS法而言，若樣品溶液的濃度高于校準(zhǔn)溶液的最高點(diǎn)，應(yīng)將樣品進(jìn)一步稀釋，使其濃度落于校準(zhǔn)溶液的濃度范圍內(nèi)。

當(dāng)采用CVAAS法與AFS法時(shí)，應(yīng)考慮到基體成分對(duì)氧化-還原反應(yīng)的影響。

AFS法將標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)或校準(zhǔn)溶液作為質(zhì)控樣品，每10個(gè)樣品測(cè)試一次,計(jì)算測(cè)量的準(zhǔn)確度。如若需要，應(yīng)重新繪制校準(zhǔn)曲線。

7.2.6.5 結(jié)果計(jì)算

被測(cè)元素含量以質(zhì)量分?jǐn)?shù)WM計(jì)，數(shù)值以%表示，按下式計(jì)算：

7.2.6.6 汞污染防止

在使用各種方法或者器皿時(shí)須十分小心，從而將污染降至最低。以下預(yù)處理可在一定程度上避免樣品的污染：

a）僅采用蒸餾水或者去離子水。與水接觸的惰性塑料材料須小心處理。純水即使貯存于聚四氟乙烯容器（PTFE）中，也會(huì)在很短時(shí)間內(nèi)從容器中浸出雜質(zhì)；

b）制備樣品用的化學(xué)試劑是污染的主要來(lái)源，應(yīng)使用不含汞的試劑；

c）樣品制備所需的化學(xué)試劑與還原劑在使用前，均需測(cè)量其空白值；

d）燒杯、滴管及容量瓶是金屬污染的主要來(lái)源，處理樣品時(shí)建議使用惰性塑料；

e）采用ICP-AES/OES、ICP-MS、AFS法時(shí)，當(dāng)汞的濃度很高時(shí)，易產(chǎn)生記憶效應(yīng)。因此在測(cè)試汞濃度較高的溶液時(shí)應(yīng)盡量采用選擇記憶效應(yīng)小的進(jìn)樣系統(tǒng)，或?qū)⑷芤合♂尅y(cè)量后應(yīng)徹底清洗進(jìn)樣系統(tǒng)。

7.2.6.7 精密度

在重復(fù)性條件下獲得的兩次獨(dú)立測(cè)試結(jié)果的絕對(duì)差值不得超過(guò)算術(shù)平均值的20％。